METHOD OF DIFFUSION OF IMPURITY FOR DEFINITION OF VAKANSIONNY STRUCTURE IN MONOCRYSTALS SIN GaAs
Keywords:
gallium arsenide, sulfur, selenium, diffusion, electrophysical parameters, structural parameters, stoichometry, vacancy structure, dislocations
Abstract
In this work diffusive profiles of elements 6 of group of periodic table of Mendeleyev in monocrystals of semi-isolating not alloyed GaAs were investigated. The mechanism of formation and distribution of alloying impurity is considered and formation of vacancy structure of monocrystals at heat treatment taking into account a structure deviation from stoichometry and dislocation structure is analysed. Possibilities of management are shown by structural and electrophysical parameters of monocrystals of GaAs.
References
Мильвидский М. Г. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений / М. Г. Мильвидский, О. В. Пелевин, Б. А. Сахаров. – М. : Металлургия, 1974. – 392 с.
Chen N. F. Stoichiometric defects in semi-insulating GaAs / N. F. Chen, H. He, Y. Wang, L. Lin // J. Crystal Growth.– 1997. – V. 173. – P. 325-329.
Бублик В. Т. Изучение влияния различных режимов термического отжига на образование микродефектов в монокристаллах нелегированного GaAs, выращенного по методу Чохральского / В. Т. Бублик, М. И. Воронова, А. В. Марков, К. Д. Щербачёв // Кристаллография. – 2000. – Т. 45, № 5. – С. 893-898.
Сорокин И. Н. Зарубежная электронная техника / И. Н. Сорокин, В. З. Петрова, Ю. Д. Чистяков. – 1979. – № 14. – 64 с.
Шишияну Ф. С. Диффузия и деградация в полупроводниковых материалах и приборах / Ф. С. Шишияну. – Кишинёв : Штиинца, 1978. – 230 c.
Коваленко В. Ф. Определение вакансионного состава монокристаллов полуизолирующего нелегированного арсенида галлия / В. Ф. Коваленко, М. Б. Литвинова, В. А. Краснов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2002. – Вып. 37. – С. 198-204.
Крапухин В. В. Физико-технические технологии полупроводниковых материалов / В. В. Крапухин, И. А. Соколов, Г. Д. Кузнецов. – М. : Металлургия, 1982. –352 с.
Болтакс Б. И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках / Б. И. Болтакс. – Л. : Наука, 1972. – 451 с.
Соколов И. А. Расчеты процессов полупроводниковой технологии / И. А. Соколов. – М. : Металлургия, 1994. – 176 с.
Коттрел А. Х. Теория дислокаций / А. Х. Коттрел ; пер. с англ. – М. : Мир, 1969. – 67 с.
Chen N. F. Stoichiometric defects in semi-insulating GaAs / N. F. Chen, H. He, Y. Wang, L. Lin // J. Crystal Growth.– 1997. – V. 173. – P. 325-329.
Бублик В. Т. Изучение влияния различных режимов термического отжига на образование микродефектов в монокристаллах нелегированного GaAs, выращенного по методу Чохральского / В. Т. Бублик, М. И. Воронова, А. В. Марков, К. Д. Щербачёв // Кристаллография. – 2000. – Т. 45, № 5. – С. 893-898.
Сорокин И. Н. Зарубежная электронная техника / И. Н. Сорокин, В. З. Петрова, Ю. Д. Чистяков. – 1979. – № 14. – 64 с.
Шишияну Ф. С. Диффузия и деградация в полупроводниковых материалах и приборах / Ф. С. Шишияну. – Кишинёв : Штиинца, 1978. – 230 c.
Коваленко В. Ф. Определение вакансионного состава монокристаллов полуизолирующего нелегированного арсенида галлия / В. Ф. Коваленко, М. Б. Литвинова, В. А. Краснов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2002. – Вып. 37. – С. 198-204.
Крапухин В. В. Физико-технические технологии полупроводниковых материалов / В. В. Крапухин, И. А. Соколов, Г. Д. Кузнецов. – М. : Металлургия, 1982. –352 с.
Болтакс Б. И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках / Б. И. Болтакс. – Л. : Наука, 1972. – 451 с.
Соколов И. А. Расчеты процессов полупроводниковой технологии / И. А. Соколов. – М. : Металлургия, 1994. – 176 с.
Коттрел А. Х. Теория дислокаций / А. Х. Коттрел ; пер. с англ. – М. : Мир, 1969. – 67 с.
Published
2013-12-26
Section
Статті
